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分立器件和功率模塊

　　我們的產(chǎn)品陣容提供全系列高、中、低壓功率分立器件以及先進(jìn)的功率模塊方案，包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC 混合模塊、二極管、SiC 二極管和智能功率模塊 。SUPERFET是安森美半導(dǎo)體全新的高壓超結(jié)  MOSFET系列，采用電荷平衡技術(shù)，具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)量身定制，可最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，并承受極端的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常適合各種功率系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)小型化和更高的效率。SUPERFET III FRFET MOSFET優(yōu)化的體二極管反向恢復(fù)性能可以去除額外的組件并提高系統(tǒng)可靠性。

　　on是安森美半導(dǎo)體全新的高壓超結(jié)，MOSFET系列，采用電荷平衡技術(shù)，具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)量身定制，可最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，并承受極端的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET非常適合各種功率系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)小型化和更高的效率。SUPERFET優(yōu)化的體二極管反向恢復(fù)性能可以去除額外的組件并提高系統(tǒng)可靠性。

　　特性 優(yōu)勢(shì)

　　超低柵極電荷（典型值 Qg= 252 nC）

　　更低的開(kāi)關(guān)損耗

　　低時(shí)間相關(guān)輸出電容（典型值.Coss（tr.）= 3174 pF）

　　更低的開(kāi)關(guān)損耗

　　優(yōu)化電容

　　較低的峰值 Vd 和較低的 Vgs 振蕩

　　出色的體二極管性能（低 Q 值）rr，堅(jiān)固的體二極管）

　　在有限責(zé)任公司和相移全橋電路中具有更高的系統(tǒng)可靠性

　　650 V @ TJ= 150 °C

　　類(lèi)型。RDS（on）= 15.2 mΩ

　　100%雪崩測(cè)試

　　這些器件無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú) BFR，并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

　　內(nèi)部柵極電阻：3.5 Ω

合通泰作為深圳on一級(jí)代理商，承諾原裝正品，假一賠十。

因ic芯片的型號(hào)和封裝種類(lèi)繁多，產(chǎn)品沒(méi)有一 一上傳，

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